SPI Plasma Prep™ Jr.等离子蚀刻机、灰化机

更省钱、有效的实验方法！

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SPI Plasma Prep Jr.有两种配置:

快速型：适用于可承受一定高温的样品。对热敏样品，只需降低等离子发生功率，延长处理时间即可。耐热玻璃腔尺寸为直径4"、深6"。

水冷型：特色水冷底座可以带走样品的热量，使其在低温下进行高速蚀刻。水冷型设备有两种类型：小功率100－500瓦，腔体尺寸8"x6"x2"；大功率100－700瓦，腔体尺寸9"x7"x3"。

微波技术在等离子蚀刻中的应用

SPI Plasma Prep Jr.为其它品牌的等离子蚀刻机提供了一种经济、有效的蚀刻方法。使用微波，Plasma Prep Jr.能够去除多种表面（包括金属、半导体、陶器）的有机物和一些无机物及其氧化物。

蚀刻过程需要将恰当的气体注入系统以蚀刻表面。比如，要去除有机物，就要使用氧气。如果要去除电子设备的钝化层，就要使用四氟化碳或其他活性氟气体。

比起RF等离子蚀刻，SPI Plasma Prep Jr.微波系统可在更高的气压下进行工作，蚀刻速度更快，即样品处理量更大。通过差动蚀刻速率对比，发现其具有更细微的分辨力。同时，水冷设备让您很准确地将样品温度控制在室温至150° C内。

注意: 在Plasma Prep Jr.中样品会达到更高的温度，建议一般不要用于聚合物。其最大优点是，使用费用低、设备功率高。因此对资金有限，但又需要较大腔体（比Plasma Prep II的更大）的用户来说，这是个很好的选择，虽然您必须时刻小心样品过热的情况发生。当进行故障分析时，SPI Plasma Prep Jr.设备的玻璃钝化层可以快速去除。某些情况下，不管您采用何种方法，设备都无法承受更高的温度。然而，您可以降低设备功率，使样品在更缓慢的加热情况下进行操作。这样，发热问题就不象原先看起来的那样严重了。

附件:

水循环器. 系统具有独立的水流，延长热交换部件的使用寿命。
离子阱. 保护敏感材料不受等离子溅射影响。这个阱可以中和带电离子（只保留中性自由基进行清除工作），并起着法拉第隔离环的作用，保护样品表面不受腔内微波的损害。
气体控制器. 包括所有必备的真空与气体调解装置，并为真空泵及水循环系统提供动力。
真空泵. Leybold, D2.5E，2.1立方英尺/分钟，两级，直驱机械泵；使用Fomblin®泵液。
操作台和专用夹具. 使工作腔内的操作更为方便。

设备	SPI #	单价	库存
筒形工作腔PP Jr.	11001-AB	$6969.60	No
水冷PP Jr. (小型)	11002-AB	7035.00	No
水冷PP Jr. (大型)	11003-AB	8295.00	No

附件
水循环器	11001WC-AB	450.00	No
离子阱	11001IT-AB	165.38	No
气体控制器	11001G-AB	2000.00	No
操作台	11001P-AB	157.50	No
专用夹具	11001T-AB	183.75	No

推荐泵
Leybold D2.5E, 2.1立方英尺/分钟(工作频率60Hz)
"Fomblinized" 真空泵	10405-AB	$4325.00	Yes

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